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Si3812DV
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10
T J = 150 °C
0.40
0.32
0.24
I D = 1 A
I D = 2.4 A
1
0.16
T J = 25 °C
0.08
0.1
0.00
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
0.4
0.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
8
6
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.0
4
- 0.2
2
- 0.4
- 0.6
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
30
2
1
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Notes:
P DM
0.1
0.05
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 1
t 2
0.02
2. Per Unit Base = R thJA = 130 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 71069
S11-0651-Rev. G, 11-Apr-11
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